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开头语

充电头网获悉,成立于 2000年9月的AOS Semiconductor Co., Ltd. (简称 AOS),总部设在美国加州硅谷,是全球一家集设计、制造与封装测试为一体的功率半导体制造商。截至目前,其在全球范围内有员工近两干人,并生产包括 Power MOSFET、IGBT、IPM、TVS、SiC 以及Power IC 等在内的多个系列电源模块产品

AOS公司拥有业界独家创新性技术,能不断推出新产品以满足电子产品日益复杂的电力需求。公司在全球设立了研发、生产、经营网络,包括美国俄勒冈州的晶圆厂以及位于台湾和韩国研发中心。AOS已在CEO张钧平的带领下步入发展高峰,并已确立其在功率半导体市场的主力地位

2024年度,由万国半导体提供的解决方案被广泛应用于多行业领域中。

最近,在对即将推出的2024款电子产品的拆解分析过程中,我们发现了部分型号内部搭载了AOS万国半导体的MOS管组件,接下来我们将为读者详细解释这一情况。

低压MOSAOS AO4805

这款规格为AO4805的元件是一枚双型体场效应管,其耐电压设定值在 -30v ,并且具有电阻 15毫欧姆 的性能,并且是以 SOIC-8 型封装结构设计而成的。

例子展示

这份拆解报告聚焦于对一款名为“绿巨能USB/Type-C高清视频采集器”进行全面剖析与解析。

AOS AO8810

AOS 108810是一颗由两个NMOS管构成的器件,耐压为20V,封装形式为TSSOP-8。

应用示例:

《拆解报告》:几个小型手持式风扇Ultra Handheld Fan,如图所示

AOS AON6220

一颗命名为 AOS AON6220的NMOS,具有100伏的耐压等级和5.1欧姆的导通电阻值,并使用了DFN 5x6封装的形式。

例子应用

拆卸详细报告:品胜的65W 2A2C氮化镓桌面充电器

“拆解报告”篇:绿联65瓦,两相一排的氮化镓充电器。

三、分解报告:迪比科的90W双USB-C快充适配器

4、拆解报告:惠普96W USB-C氮化镓快充充电器

AOS AON6264E

AON6264E是一款NMOS器件,具有耐压60V的特性,并拥有导体电阻7.7mΩ;此外它使用的是DFN-5x6的封装形式。

例子:应用案例

改写的文字为: 拆解报告:大疆推出新款户外电源——POWER500

AOS AON6354

AON6354是一个NMOS器件,额定电压是30伏特,电阻大约在2.75毫欧姆,其封装形式为DFN-5*6,主要用于给电池供电的全桥电路中。

使用实例:

1、拆解报告:CUKTECH酷态科15号电能柱SE

"拆解报告:酷态科15号超电能柱Ultracore."

3、“小米”100瓦氮化镓快充充电器

《拆解报告》:MI小米充电宝,型号为25000,功率为212W。

AOS AON6512

AOS AON6512是一种NMOS管,能够承受30伏的电压,并且其导体电阻为1.4毫欧姆。此外它还使用DFN5*6型的封装。

例子应用:

1、拆解报告:百盛高能XG850 850W ATX3.0白金全模组电源

二、分析报告:酷态科15号超电力柱 Ultra

三. 分析: MI小米充电宝25000的充电能力, 输出是212瓦特

AOS AON6576

AOS AON6576是一颗NMOS,耐压30V,导阻3.9mΩ,采用DFN5*6封装。

使用实例:

“拆解报告:一加超高速100瓦充电宝”

这个产品名称是AON7140

AOS AON 7140是一款NMOS晶体管,最高能香香港漫游和本地流量包有什么区别8207;万&#香港旅游电话卡怎么办理20247;卡实体卡购买承受40V的高压,其导通电阻为1.9毫欧姆,采用了DFN 3.3 x 3.3毫米的封装形式。

应用案例:

这是DJI Power 1000拆解视频。它与大疆的多款产品相得益彰。

二、分解报告:大疆功率高达1000瓦的大疆1000W户外电源POWER500

AOS AON7262E

这款芯片叫做AON7262E,它是一个NMOS晶体管,允许的电压为60V,其导通电阻为4.8mΩ,被封装成一个DFN-3*3形式的EP型号。

应用案例:

1、拆解报告:OPPO AIRVOOC 50W无线闪充充电器

AOS AON7264E

一颗耐压为60伏的NMOS,其导阻为7.7米欧,并且封装形式是DFN3x3-EP型。

应用实例:

《拆解报告:小米新能源汽车SU7前装配备的50W无线充电模块》

AOS-AON系列产品编号是7534.

AOS的NMOS晶体管AON7534具有高耐压值为30V,最小导阻值为4.1mΩ,适用于DFN3*3EP封装。

例子:

拆卸报告:小米充电宝25000 212w

AOS AON7544

AOS AON7544是一种NMOS晶体管,在30伏特的电压下具有耐受性,其电阻为每平方毫米四点一毫欧姆,并适合在DFN3x3EP封装中使用。

案例说明:

修改后的内容:拆解报告:一加Super VOOC 100瓦超级快速充电器

第二、拆分报告: 图拉斯的CQ9充电器

AOS AONS21357

AOS AONS21357是一颗功率MOS管。它承受工作电压范围 -30 V;导通电阻约为6.3 kΩ,适合应用于DFN5*6型封装中使用。

应用案例:

1、拆解报告:移动2000 Wh户外电源,M2000

AOS AONS62920

这款芯片AOS AONS 62920支持高压工作电压达100v,并具有低电阻特性:它具有导电截面积约6.3米欧姆的耐压值,适合应用在DFN封装规格为5*6mm的电子电路中。

案例:

拆卸的充电器:Meta 45W USB-C快速充电器

AOS AONS62922

一颗名为AOS AONS 62922的NMOS器件适用于工作电压高达120V的应用场合;它具有极高的电流穿透性,可达5.8mΩ的电阻;产品规格为DFN5*6封装。

应用实例:

1、拆解报告:Nothing CMF 65W 2C1A氮化镓快充充电器

AOS AONS66540

这款AOS AONS66540芯片是NMOS类型,耐受的电压值为150V,并且它的导电电阻约为7.9米欧,被广泛用于同步整流应用领域,封装形式是DFN-5x6。

应用范例: ...

拆解报告:贝尔金200瓦时的四USB-C接口氮化镓电源适配器

AOS AONS66406

这款器件是 AOS AONS66406, 它是一个 NMOS 的组件。最高允许的工作电压为 40 V。它的最小工作电阻是 5 m Ω,封装形式为 DFN 5 * 6 封装。

应用案例:

报告分析:针对酷态科15号的140W,规格为3C1A的标准型号的充电器产品

2、拆解报告: 酷态科的15号超级电能柱Ultima。

"拆解报告:mi mi 25000毫安时充放电宝,电量容量高达212瓦。"

AOS AONS66908

AOS AONS 66908是一种NMOS晶体管,其最高工作电压是100伏特;该器件的最小负载电阻为4.2毫欧姆,并使用DFN型脚贴小封装(5*6)结构设计。

例子说明:

1、拆解报告:安克250W 4C2A氮化镓桌面充电器

AOS AONR34332C

AOS AONR34332C是一颗NMOS,耐压30V,导阻1.3mΩ,采用DFN3.3*3.3封装。

示例应用:

《三星的100w氮化镓充电器拆解》

AOS AONR36366

AOS AONR36366 是一片 N-MOS 二极管,在工作电压下耐压为 30V,电阻率为2.8mΩ,并使用 DFN3 * 3EP 封装结构。

例子:应用程序

拆解报告:迪比科的这款双USB-C快充充电器。

AOS AONR66406

这是一款耐压为40伏的NMOS管,其导阻值达到了6.1毫欧姆,并且采用的是DFN-3X3EP封装形式。

应用案例:

"拆解报告:" Anker的250W四通道四相氮化镓充电器

AOS AOS6354

AOS AOS 6354是一款N-沟道金属氧化物半导体MOS管。该器件封装形式为香Ě香港旅游香港漫游和本地流量包有什么区别005;话卡怎么办理07;万众卡实体卡购买DFN 5*6,它可以在30V的耐受电压下正常工作,并且它的电阻是3.3mΩ。

例子:

“拆解报告:酷态科的内置电池,电量达到惊人的 20,000mAh。”

AOS AOS7534

这款型号为AOS7534的耐电压高达30伏特的双NMOS管,封装形式为DFN3*3,其导通电阻约为5毫欧姆。

示例案例:

《倍思 20W QI2 磁吸带充电支架》拆解

AOS AOSP32368

这款规格为AOS AOSP32368的N沟道耐压30V的NMOS管子,其导通电阻仅为4.6mΩ,该管体封装形式是SOP16-8型。

"案例举例"

报告指出,对宏碁100WUSB-C电源适配器进行拆解的步骤,旨在确定其内部结构及其组成部分。

这个编号表示AOTL产品的第666号部件

这是一款NMOS,其额定工作电压为60V,并且有1K欧姆的电阻特性,封装形式为TOLLa封装。

应用范例

1、拆解报告:大疆512Wh 1000W户外电源POWER 500

高压MOSAOS AOB160A60L

一颗NMOS型器件AOS AOB160A60L,具备耐压600V的特性,并具有140 mΩ的导通电阻,它采用TO-263封装形式。此外,该产品还由两枚元件并联工作。

举例说明

“拆解报告:海韵850W ATX3.1金牌全模组电源”

AOS AOB280A60L

这颗晶体管,型号为 AOA280A60L 是一颗 N-channel MOS 管,具有耐压600V的特性,它的导通电阻大约 2.5 Ω,封装形式是 TO-263封装。

应用程序实例:

报告的主体部分,也就是拆解过程,请见下面详细报告中。

AOS AOTF125A60L

这个NMOS元件(代号AOTF125A60L)是耐电压等级为600伏的型号,其额定电阻值为108欧姆,在封装上采用了TO-220封装。

应用案例:

摘要:惠普140W USB-C电源适配器的拆卸详细过程

AOS AOTL125A60

这枚晶体管是NMOS类型,最高工作电压为 600 V,其电阻值约为 111 mΩ,并采用 TOLL 封装工艺。

应用示范:

报告标题:“拆解报告:三星的100W氮化镓充电器”

充电头网的简短评论

AOS半导体万国作为一家专注于功率半导体研发和生产的高新技术企业,在全球功率半导体市场中占据了领导地位,并通过其独特的功率MOS技术为众多用户提供了高效且能耗较低的高功率电子产品,成功得到了苹果公司、索尼公司、思科网络公司以及谷歌等国际知名品牌认可。

目前,AOS万国半导体在功率器件市场具有巨大的发展潜力,并拥有广泛的产品线支持,从桌面充电器到车载充电器、电源适配器,再到移动电源等都涉及了AOS产品。展望未来,随着新能源汽车、通信、储能及AI技术领域的发展机遇的到来,AOS将紧随这些产业的发展,继续保持在功率半导体领域的领先地位,为电子产品行业注入新鲜动力与能量。

【展】预告

万国半导体公司参展于2024年春亚洲电力会议及展览会,展位设在C区内C07展区,诚挚邀请您于3月28日至31日期间前来观展,欢迎莅临与我们面对面的沟通与协商。

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